SCT055W65G3-4AG

SCT055W65G3-4AG

零件编号
SCT055W65G3-4AG
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
STMicroelectronics
描述
TO247-4
封装
-
包装
管子
ROHS状态
Yes
价格
USD $7.0880
数据表
-
数量
RFQ
库存: 20000
最小 : 600
倍数 : 1
数量
单价
价格
600
$7.0880
$4,252.8000
替代型号
SCT055W65G3-4AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
相似型号
SCT055W65G3-4AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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购买及询价
规格
运输
数据表
ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 的技术规格、属性、参数和部件与 ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 具有相似规格。
类型描述
制造商STMicroelectronics
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 200°C (TJ)
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C30A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs72mOhm @ 15A, 18V
功耗(最大)210W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.2V @ 1mA
供应商设备包TO-247-4
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)15V, 18V
Vgs(最大)+18V, -5V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs32 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds721 pF @ 40 V
资质AEC-Q101

运输费


运费起价 40 美元,但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。 例如(南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等)
基本运费(包裹≤0.5公斤或相应体积)取决于时区和国家。


邮寄方式


目前,我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。


交货时间


货物发货后,预计交货时间取决于您选择的运输方式:

联邦快递国际,5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

transport

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